Anwendungsbeispiele der KL-Mikroskopie
Abbildung der Verspannungsrelaxation an Rissen in Aluminiumnitrid-Schichten:
Dargestellt sind das REM-Bild der Oberfläche der Probe, und das Peak Wellenlängen-Bild derselben Stelle. Das räumliche gemittelte Spektrum zeigt eine inhomogene Verbreiterung der bandkantennahen Lumineszenz. Vergleicht man hingegen Spektren die in der Nähe des Risses und weit entfernt davon aufgenommen wurden, so zeigt sich jeweils eine scharfe Linie an unterschiedlichen Wellenlängenpositionen.
Die Probe stammt von der Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Abteilung für Halbleiterepitaxie.
Abbildung von Wachstumsdomänen in a-plane Galliumnitrid-Strukturen:
Dargestellt sind das SE-Bild der Bruchfläche der Probe, und das Peak Wellenlängen-Bild derselben Stelle. Es sind deutlich die unterschiedlichen Wachstumsbereiche durch ihre charakteristische Lumineszenz zu unterscheiden. In dem Bereich oberhalb der Maskenöffnung dominiert die Basalflächenstapelfehler Lumineszenz (grün/roter Kontrast), im lateral überwachsenen Flügel hingegen dominiert die bandkantennahe Lumineszenz.
Die inhomogene Verteilung der bandkantennahen Lumineszenz kann durch einen Linescan entlang der Bruchkante visualisiert werden.
Die Probe stammt vom Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik, Berlin.