Elektrische Rastersondenmikroskopie
Messverfahren
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- Scanning Surface Potential Microscopy - SSPM
- Electrical Force Microscopy - EFM
- Magnetic Force Microscopy - MFM
- Scanning Capacitance Microscopy - SCM
- bei verschiedenen Temperaturen (300 K - ca. 400 K)
- mit optischer Anregung (300 nm - 3000 nm)
- Korrelation mit diversen Standardtechniken zur Analyse von Topographie- und Materialkontrast (Contact Mode, Tapping Mode, Lift Mode, Phase Imaging,...)
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Forschungsgebiete
- Elektrische Eigenschaften von Strukturdefekten in Wide-Gap-Halbleitermaterialien (Gruppe-III-Nitride, ZnO)
- Submikroskopische Charakterisierung von Halbleiterbauelementen (LED's, HEMT's, ...)
- Weiterentwicklung der SPM-Verfahren zur ortsaufgelösten Defektspektroskopie
