Messergebnisse EL / µEL

Die Messapparatur der EL/µ-EL bietet die Möglichkeit, Halbleiterstrukturen und -bauelementen unter elektrischer Anregung zu untersuchen. Durch variieren des Anregungsstromes kann die Anregungsstromabhängigkeit von Halbleiterstrukturen untersucht werden. Ortsaufgelöste µ-EL-Mappings zeigen die Intensitäts- und Wellenlängenverteilung von emittierenden Bauelementoberflächen. Daraus lassen sich beispielsweise Stromverteilungen / Strompfade, lokale Ladungsträgertemperaturen oder Schichtdickenfluktuationen ableiten.

si001_mel
Stromabhängige μ-EL-Messung.


EL_InGaN_GaN_LED


EL_FabryPerot_600
Links: Spektrum an einem Punkt einer InGaN/GaN LED
Rechts: Berechnung der Schichtdicke aus den Positionen der Fabry-Pérot-Peaks

Letzte Änderung: 11.11.2019 - Ansprechpartner: Webmaster